三星宣布3納米GAA架構(gòu)制程技術(shù)芯片開(kāi)始生產(chǎn)

三星電子今日宣布，基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱(chēng) GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)。該公司已經(jīng)開(kāi)始在其位于韓國(guó)的華城工廠(chǎng)大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn) 3 納米芯片的公司。

品玩6月30日訊，三星電子今日宣布，基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱(chēng) GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)。該公司已經(jīng)開(kāi)始在其位于韓國(guó)的華城工廠(chǎng)大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn) 3 納米芯片的公司。

　　3nm GAA技術(shù)采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線(xiàn)的GAA技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比。

　　與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來(lái)第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。

聲明：本文版權(quán)歸原作者所有，轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播，若有異議請(qǐng)聯(lián)系我們修改或刪除：zhangkai@cgbtek.com