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剛剛！3納米官宣！
時(shí)間: 2022-07-11瀏覽次數(shù)：428
剛剛！3納米官宣！
三星電子首次實(shí)現(xiàn)GAA“多橋-通道場效應(yīng)晶體管”（簡稱: MBCFET Multi-Bridge-Channel FET）應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時(shí)還通過增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。
三星首先將納米片晶體管應(yīng)用于高性能、低功耗計(jì)算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片，并計(jì)劃將其擴(kuò)大至移動(dòng)處理器領(lǐng)域。
一直以來，三星電子不斷將新一代工藝技術(shù)應(yīng)用于生產(chǎn)制造中。例如：三星的第一個(gè)High-K Metal Gate (HKMG) 工藝、FinFET 以及 EUV等。三星希望通過率先采用3nm工藝的‘多橋-通道場效應(yīng)晶體管’（ MBCFET），將繼續(xù)保持半導(dǎo)體行業(yè)前沿地位。同時(shí)，三星將繼續(xù)在競爭性技術(shù)開發(fā)方面積極創(chuàng)新，并建立有助于加速實(shí)現(xiàn)技術(shù)成熟的流程。
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